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Moiré trions in MoSe₂/WSe₂ heterobilayers
MoSe₂/WSe₂ 异质层中的莫尔三子材料科学TOPEI检索SCI升级版材料科学1区SCI基础版工程技术1区IF 38.1SWJTU A++

Moiré trions are observed in electrostatically gated WSe₂/MoSe₂ heterobilayers, where photoluminescence polarization switching reveals a competition between valley-flip and spin-flip relaxation pathways of photo-excited carriers during trion formation.
在静电门控 WSe₂/MoSe₂ 异质双层中观察到莫尔三核子，其中光致发光偏振切换揭示了光激发载流子在三核形成过程中的谷翻转和自旋翻转弛豫途径之间的竞争。

Xi Wang 王习
Jiayi Zhu 朱佳怡
Xiaodong Xu 徐晓东

Research 研究16 Sept 2021 16 9月 2021

Nature Nanotechnology 自然纳米技术

Volume: 16, P: 1208-1213 卷号： 16，页码： 1208-1213

Temperature dependent moiré trapping of interlayer excitons in MoSe₂-WSe₂ heterostructures
MoSe 2-WSe₂ 异质结构中层间激子的温度依赖性莫尔捕获 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Fateme Mahdikhanysarvejahany
Daniel N. Shanks 丹尼尔·香克斯
John R. Schaibley 约翰·沙布利

Research 研究Open Access 开放获取21 Jul 2021 21 7月 2021

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 5, P: 1-6 体积： 5，页： 1-6

Boosting proximity spin–orbit coupling in graphene/WSe₂ heterostructures via hydrostatic pressure
通过静水压力增强石墨烯/WSe₂ 异质结构中的邻近自旋-轨道耦合 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Bálint Fülöp
Albin Márffy 阿尔宾·马尔菲
Szabolcs Csonka

Research 研究Open Access 开放获取30 Sept 2021 30 9月 2021

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 5, P: 1-6 体积： 5，页： 1-6

WSe₂/SnSe₂ vdW heterojunction Tunnel FET with subthermionic characteristic and MOSFET co-integrated on same WSe₂ flake
WSe₂/SnSe₂ vdW 异质结隧道式 FET，具有亚热离子特性和 MOSFET 共集成在同一 WSe₂ 片上 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Nicolò Oliva 尼科洛·奥利瓦
Jonathan Backman 乔纳森·巴克曼
Adrian M. Ionescu 阿德里安·约内斯库

Research 研究Open Access 开放获取30 Apr 2020 30 4月 2020

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 4, P: 1-8 体积： 4，页： 1-8

Two-dimensional iodine-monofluoride epitaxy on WSe₂
WSe₂ 上的二维碘-一氟化物外延 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Yung-Chang Lin 林永昌
Sungwoo Lee 李成宇
Kazu Suenaga

Research 研究Open Access 开放获取10 Feb 2021 10 2月 2021

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 5, P: 1-6 体积： 5，页： 1-6

Identifying defect-related quantum emitters in monolayer WSe₂
识别单层 WSe₂ 中与缺陷相关的量子发射器 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Jianchen Dang 党剑辰
Sibai Sun 孙思柏
Xiulai Xu 徐秀莱

Research 研究Open Access 开放获取07 Feb 2020 07 2月 2020

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 4, P: 1-7 体积： 4，页： 1-7

Electric-double-layer p–i–n junctions in WSe₂
WSe₂ 中的双电层 p-i-n 结 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Sara Fathipour 萨拉·法蒂普尔
Paolo Paletti 保罗·帕莱蒂
Alan C. Seabaugh 艾伦·西博

Research 研究Open Access 开放获取30 Jul 2020 30 7月 2020

Scientific Reports 科学报告

Volume: 10, P: 1-7 卷： 10，页： 1-7

PN/PAs-WSe₂ van der Waals heterostructures for solar cell and photodetector
用于太阳能电池和光电探测器的 PN/PAs-WSe₂ 范德华异质结构 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Xinyi Zheng 郑欣怡
Yadong Wei 魏亚东
Weiqi Li 李伟琪

Research 研究Open Access 开放获取14 Oct 2020 14 10月 2020

Scientific Reports 科学报告

Volume: 10, P: 1-9 卷数： 10，页： 1-9

Monolayer WSe2 induced giant enhancement in the spin Hall efficiency of Tantalum
单层 WSe2 诱导钽自旋霍尔效率的巨型增强 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Punyashloka Debashis
Terry Y. T. Hung
Zhihong Chen 陈志宏

Research 研究Open Access 开放获取23 Jun 2020 23 6月 2020

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 4, P: 1-5 体积： 4，页： 1-5

Growth and Thermo-driven Crystalline Phase Transition of Metastable Monolayer 1T′-WSe₂ Thin Film
亚稳态单层 1T′-WSe₂ 薄膜的生长和热驱动晶体相变 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Wang Chen 王晨
Xuedong Xie 谢雪东
Yi Zhang 张毅

Research 研究Open Access 开放获取25 Feb 2019 25 2月 2019

Scientific Reports 科学报告

Volume: 9, P: 1-6 卷号： 9，页： 1-6

Dark trions and biexcitons in WS₂ and WSe₂ made bright by e-e scattering
WS₂ 和 WSe₂ 中的暗三子和二激子因 e-e 散射而变亮 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Mark Danovich 马克·丹诺维奇
Viktor Zólyomi
Vladimir I. Fal’ko 弗拉基米尔·法尔科

Research 研究Open Access 开放获取06 Apr 2017 06 4月 2017

Scientific Reports 科学报告

Volume: 7, P: 1-5 体积： 7，页： 1-5

Scalable Epitaxial Growth of WSe₂ Thin Films on SiO₂/Si via a Self-Assembled PtSe₂ Buffer Layer
通过自组装 PtSe₂ 缓冲层在 SiO₂/Si 上实现 WSe₂ 薄膜的可扩展外延生长 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Pei-Chen Wu 吴培辰
Chun-Liang Yang 杨春亮
Chih-Huang Lai 赖志煌

Research 研究Open Access 开放获取29 May 2019 29 五月 2019

Scientific Reports 科学报告

Volume: 9, P: 1-10 卷： 9，页： 1-10

Covalent-bonding-induced strong phonon scattering in the atomically thin WSe₂ layer
共价键诱导的原子薄 WSe₂ 层中的强声子散射 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Young-Gwan Choi
Do-Gyeom Jeong 郑道庆（Do-Gyeom Jeong）
J. S. Lee J. S. 李

Research 研究Open Access 开放获取20 May 2019 20 五月 2019

Scientific Reports 科学报告

Volume: 9, P: 1-8 卷： 9，页： 1-8

Pressure-induced iso-structural phase transition and metallization in WSe₂
WSe₂ 中的压力诱导等结构相变和金属化 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Xuefei Wang 王雪飞
Xuliang Chen 陈旭亮
Zhaorong Yang 杨兆荣

Research 研究Open Access 开放获取04 May 2017 04 五月 2017

Scientific Reports 科学报告

Volume: 7, P: 1-9 卷： 7，页： 1-9

Stripe phases in WSe₂/WS₂ moiré superlattices
WSe₂/WS₂ 莫尔超晶格中的条纹相材料科学TOPEI检索SCI升级版材料科学1区SCI基础版工程技术1区IF 37.2SWJTU A++

Optical anisotropy and electronic compressibility measurements are used to uncover stripe phases, where the rotational symmetry of charge density is spontaneously broken, in a two-dimensional semiconductor moiré superlattice.
光学各向异性和电子压缩率测量用于揭示二维半导体莫尔超晶格中的条纹相，其中电荷密度的旋转对称性自发打破。

Chenhao Jin 金晨浩
Zui Tao 醉涛
Kin Fai Mak 麦健辉

Research 研究25 Mar 2021 25 3月 2021

Nature Materials 自然材料

Volume: 20, P: 940-944 卷： 20，页码： 940-944

Effect of magnetron sputtering parameters and stress state of W film precursors on WSe₂ layer texture by rapid selenization
快速硒化磁控溅射参数和 W 薄膜前驱体应力状态对 WSe₂ 层织构的影响 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Hongchao Li 李洪超
Di Gao 高迪
Jianpeng Zou 邹建鹏

Research 研究Open Access 开放获取04 Nov 2016 04 11月 2016

Scientific Reports 科学报告

Volume: 6, P: 1-9 卷数： 6，页： 1-9

First-Principles Determination of Ultralow Thermal Conductivity of monolayer WSe₂
单层 WSe₂ 超低热导率的第一性原理测定 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Wu-Xing Zhou 周吴兴
Ke-Qiu Chen 陈克秋

Research 研究Open Access 开放获取14 Oct 2015 14 10月 2015

Scientific Reports 科学报告

Volume: 5, P: 1-8 体积： 5，页： 1-8

Probing the origin of excitonic states in monolayer WSe₂
探索单层 WSe₂ 中激子态的起源 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Jiani Huang 黄佳妮
Thang B. Hoang 唐斌黄
Maiken H. Mikkelsen 迈肯·米科尔森

Research 研究Open Access 开放获取04 Mar 2016 04 3月 2016

Scientific Reports 科学报告

Volume: 6, P: 1-7 卷号： 6，页： 1-7

Stacking orders induced direct band gap in bilayer MoSe₂-WSe₂ lateral heterostructures
堆叠顺序在双层 MoSe 2-WSe₂ 横向异质结构中诱导直接带隙 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Xiaohui Hu 胡小辉
Liangzhi Kou 寇良芝
Litao Sun 孙立涛

Research 研究Open Access 开放获取16 Aug 2016 16 八月 2016

Scientific Reports 科学报告

Volume: 6, P: 1-9 卷数： 6，页： 1-9

Polarity control in WSe₂ double-gate transistors
WSe₂ 双栅极晶体管中的极性控制 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Giovanni V. Resta 乔瓦尼·雷斯塔
Surajit Sutar 苏拉吉特·苏塔尔
Giovanni de Micheli 乔瓦尼·德·米歇利

Research 研究Open Access 开放获取08 Jul 2016 08 7月 2016

Scientific Reports 科学报告

Volume: 6, P: 1-6 体积： 6，页： 1-6

Valley depolarization in monolayer WSe2
单层 WSe2 中的谷值去极化 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Tengfei Yan 闫腾飞
Xiaofen Qiao 乔晓芬
Xinhui Zhang 张欣辉

Research 研究Open Access 开放获取22 Oct 2015 2015 年 10 月 22 日

Scientific Reports 科学报告

Volume: 5, P: 1-7 体积： 5，页： 1-7

Erbium-doped fiber laser passively mode locked with few-layer WSe₂/MoSe₂ nanosheets
掺铒光纤激光器用少量 WSe₂/MoSe₂ 纳米片进行被动锁模 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Dong Mao 董毛
Xiaoyang She 佘小阳
Jianlin Zhao 赵健林

Research 研究Open Access 开放获取24 Mar 2016 24 3月 2016

Scientific Reports 科学报告

Volume: 6, P: 1-9 卷数： 6，页： 1-9

Excellent Thermoelectric Properties in monolayer WSe₂ Nanoribbons due to Ultralow Phonon Thermal Conductivity
由于超低的声子热导率，在单层 WSe₂ 纳米带中具有出色的热电性能 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Jue Wang 王珏
Fang Xie 谢芳
Ke-Qiu Chen 陈克秋

Research 研究Open Access 开放获取25 Jan 2017 25 1月 2017

Scientific Reports 科学报告

Volume: 7, P: 1-8 体积： 7，页： 1-8

Correlated insulating states at fractional fillings of the WS₂/WSe₂ moiré lattice
WS₂/WSe₂ 莫尔晶格分数填充处的相关绝缘态物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版物理与天体物理1区SCI基础版物理1区IF 17.6

Twisted bilayers of WS₂ and WSe₂ have correlated states that correspond to real-space ordering of the electrons on a length scale much longer than the moiré pattern.
WS₂ 和 WSe₂ 的扭曲双层具有相关状态，这些状态对应于电子在长度尺度上的实际空间排序，其长度尺度比莫尔图案长得多。

Xiong Huang 黄雄
Tianmeng Wang 王天猛
Yong-Tao Cui 重试错误原因

Research 研究15 Feb 2021 15 2月 2021

Nature Physics 自然物理学

Volume: 17, P: 715-719 卷： 17，页： 715-719

Proximity-induced chiral quantum light generation in strain-engineered WSe₂/NiPS₃ heterostructures 重试错误原因材料科学TOPEI检索SCI升级版材料科学1区SCI基础版工程技术1区IF 37.2SWJTU A++

Proximity-induced chiral quantum emission is generated by applying nanoindentation on monolayer WSe₂ on an antiferromagnetic van der Waals material (NiPS₃) at zero external magnetic fields, reporting a degree of circular polarization of 0.89 and a single-photon purity of 95%. 重试错误原因

Xiangzhi Li 重试错误原因
Andrew C. Jones 重试错误原因
Han Htoon 重试错误原因

Research 研究17 Aug 2023 17 8月 2023

Nature Materials 自然材料

Volume: 22, P: 1311-1316 重试错误原因

Prolonged dephasing time of ensemble of moiré-trapped interlayer excitons in WSe₂-MoSe₂ heterobilayers 重试错误原因 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Mehmet Atıf Durmuş 重试错误原因
Kaan Demiralay 重试错误原因
Ibrahim Sarpkaya 重试错误原因

Research 研究Open Access 开放获取11 Sept 2023 重试错误原因

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 7, P: 1-8 体积： 7，页： 1-8

Thiol-based defect healing of WSe₂ and WS₂ 重试错误原因 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Aviv Schwarz 重试错误原因
Hadas Alon-Yehezkel 重试错误原因
Doron Naveh 重试错误原因

Research 研究Open Access 开放获取23 Aug 2023 重试错误原因

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 7, P: 1-9 卷： 7，页： 1-9

Anomalous conductance quantization of a one-dimensional channel in monolayer WSe₂ 重试错误原因 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Justin Boddison-Chouinard 重试错误原因
Alex Bogan 重试错误原因
Louis Gaudreau 重试错误原因

Research 研究Open Access 开放获取15 Jul 2023 重试错误原因

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 7, P: 1-7 重试错误原因

Ultrafast valley-selective coherent optical manipulation with excitons in WSe₂ and MoS₂ monolayers 重试错误原因 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Artur O. Slobodeniuk 重试错误原因
Petr Koutenský 重试错误原因
Martin Kozák 重试错误原因

Research 研究Open Access 开放获取25 Mar 2023 重试错误原因

npj 2D Materials and Applications
npj 2D 材料和应用

Volume: 7, P: 1-7 重试错误原因

Signatures of moiré-trapped valley excitons in MoSe₂/WSe₂ heterobilayers 重试错误原因综合性期刊TOPSCI升级版综合性期刊1区SCI基础版综合性期刊1区IF 50.5SWJTU A++

The trapping of interlayer valley excitons in a moiré potential formed by a molybdenum diselenide/tungsten diselenide heterobilayer with twist angle control is reported. 重试错误原因

Kyle L. Seyler 凯尔·塞勒
Pasqual Rivera 帕斯夸尔·里维拉
Xiaodong Xu 徐晓东

Research 研究25 Feb 2019 25 2月 2019

Nature 自然界

Volume: 567, P: 66-70 重试错误原因

Improvements in 2D p-type WSe₂ transistors towards ultimate CMOS scaling
2D p 型 WSe₂ 晶体管的改进，以实现最终的 CMOS 缩放 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Naim Hossain Patoary
Jing Xie
Ivan Sanchez Esqueda

Research 研究Open Access 开放获取27 Feb 2023 重试错误原因

Scientific Reports 科学报告

Volume: 13, P: 1-11

Electrical characterization of multi-gated WSe₂/MoS₂ van der Waals heterojunctions SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Phanish Chava
Vaishnavi Kateel
Artur Erbe

Research 研究Open Access 开放获取09 Mar 2024

Scientific Reports

Volume: 14, P: 1-12

Exciton-polarons in the presence of strongly correlated electronic states in a MoSe₂/WSe₂ moiré superlattice EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Aidan J. Campbell
Mauro Brotons-Gisbert
Brian D. Gerardot

ResearchOpen Access04 Nov 2022

npj 2D Materials and Applications

Volume: 6, P: 1-8

Exciton spectroscopy and unidirectional transport in MoSe₂-WSe₂ lateral heterostructures encapsulated in hexagonal boron nitride EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Dorian Beret
Ioannis Paradisanos
Bernhard Urbaszek

ResearchOpen Access19 Nov 2022

npj 2D Materials and Applications

Volume: 6, P: 1-8

Reversal of anomalous Hall conductivity by perpendicular electric field in 2D WSe₂/VSe₂ heterostructure 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版物理与天体物理1区SCI基础版物理2区IF 5.4

The anomalous Hall effect observed in certain magnetic materials presents opportunities for spin-driven electronics, also known as spintronics. The authors discuss first-principles studies of the band structure and anomalous Hall conductivity of a WSe₂/VSe₂ heterostructure in two possible configurations, which they find to be tunable by electric field.

Brahim Marfoua
Jisang Hong

ResearchOpen Access30 Oct 2022

Communications Physics

Volume: 5, P: 1-8

Radiative pattern of intralayer and interlayer excitons in two-dimensional WS₂/WSe₂ heterostructure SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Mohammed Adel Aly
Manan Shah
Arash Rahimi-Iman

ResearchOpen Access28 Apr 2022

Scientific Reports

Volume: 12, P: 1-7

Confinement of long-lived interlayer excitons in WS₂/WSe₂ heterostructures 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版物理与天体物理1区SCI基础版物理2区IF 5.4

Excitons are quasiparticles consisting of an electron-hole pair and can be used to study many-body phenomenon. Here, the authors demonstrate on-demand quantum confinement of long-lived interlayer excitons in WS₂/WSe₂ heterostructures deposited on nanopatterned substrates.

Alejandro R.-P. Montblanch
Dhiren M. Kara
Mete Atatüre

ResearchOpen Access07 Jun 2021

Communications Physics

Volume: 4, P: 1-8

Super-Nernstian ion sensitive field-effect transistor exploiting charge screening in WSe₂/MoS₂ heterostructure EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Sooraj Sanjay
Mainul Hossain
Navakanta Bhat

ResearchOpen Access16 Dec 2021

npj 2D Materials and Applications

Volume: 5, P: 1-8

Rydberg series of dark excitons and the conduction band spin-orbit splitting in monolayer WSe₂ 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版物理与天体物理1区SCI基础版物理2区IF 5.4

Excitonic physics dominates the optical response of semiconductor monolayers but single particle band structure parameters are hard to probe experimentally. Here, spin-orbit splitting in the conduction band of monolayer WSe₂ is revealed by the identification of the Rydberg series of dark excitons.

Piotr Kapuściński
Alex Delhomme
Marek Potemski

ResearchOpen Access19 Aug 2021

Communications Physics

Volume: 4, P: 1-6

Out-of-plane trion emission in monolayer WSe₂ revealed by whispering gallery modes of dielectric microresonators EI检索IF 7.5

Out-of-plane photon emission in 2D semiconductors is rare but crucial for efficient light manipulation in planar optoelectronic devices and photonic chips. Here, an out-of-plane dipolar component of trions in monolayer WSe₂ is revealed by exciting the whispering gallery modes of SiO₂ microspherical resonators.

Daniel Andres-Penares
Mojtaba Karimi Habil
Juan F. Sánchez-Royo

ResearchOpen Access26 May 2021

Communications Materials

Volume: 2, P: 1-9

First-principles based simulations of electronic transmission in ReS₂/WSe₂ and ReS₂/MoSe₂ type-II vdW heterointerfaces SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Dipankar Saha
Saurabh Lodha

ResearchOpen Access06 Dec 2021

Scientific Reports

Volume: 11, P: 1-10

Controlled edge dependent stacking of WS₂-WS₂ Homo- and WS₂-WSe₂ Hetero-structures: A Computational Study SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Kamalika Ghatak
Kyung Nam Kang
Dibakar Datta

ResearchOpen Access03 Feb 2020

Scientific Reports

Volume: 10, P: 1-11

Electric field induced giant valley polarization in two dimensional ferromagnetic WSe₂/CrSnSe₃ heterostructure EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Imran Khan
Brahim Marfoua
Jisang Hong

ResearchOpen Access08 Jan 2021

npj 2D Materials and Applications

Volume: 5, P: 1-8

Discrete interactions between a few interlayer excitons trapped at a MoSe₂–WSe₂ heterointerface EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Malte Kremser
Mauro Brotons-Gisbert
Jonathan J. Finley

ResearchOpen Access12 May 2020

npj 2D Materials and Applications

Volume: 4, P: 1-6

Self-driven WSe₂ photodetectors enabled with asymmetrical van der Waals contact interfaces EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Changjian Zhou
Shouyong Zhang
Mansun Chan

ResearchOpen Access14 Dec 2020

npj 2D Materials and Applications

Volume: 4, P: 1-9

Studying local Berry curvature in 2H-WSe₂ by circular dichroism photoemission utilizing crystal mirror plane SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Soohyun Cho
Jin-Hong Park
Seung Ryong Park

ResearchOpen Access18 Jan 2021

Scientific Reports

Volume: 11, P: 1-9

Highly (001)-textured p-type WSe₂ Thin Films as Efficient Large-Area Photocathodes for Solar Hydrogen Evolution SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Farabi Bozheyev
Karsten Harbauer
Klaus Ellmer

ResearchOpen Access22 Nov 2017

Scientific Reports

Volume: 7, P: 1-11

Origin of ultrafast growth of monolayer WSe₂ via chemical vapor deposition EI检索SCI升级版材料科学1区SCI基础版工程技术1区IF 9.4

Shuai Chen
Junfeng Gao
Yong-Wei Zhang

ResearchOpen Access27 Feb 2019

npj Computational Materials

Volume: 5, P: 1-8

Effects of energetic ion irradiation on WSe₂/SiC heterostructures SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Tan Shi
Roger C. Walker
Joshua A. Robinson

ResearchOpen Access23 Jun 2017

Scientific Reports

Volume: 7, P: 1-9

Tuning Coupling Behavior of Stacked Heterostructures Based on MoS₂, WS₂, and WSe₂ SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Fang Wang
Junyong Wang
Junhao Chu

ResearchOpen Access17 Mar 2017

Scientific Reports

Volume: 7, P: 1-10

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Moiré trions in MoSe2/WSe2 heterobilayersMoSe2/WSe2 异质层中的莫尔三子 材料科学TOPEI检索SCI升级版 材料科学1区SCI基础版 工程技术1区IF 38.1SWJTU A++

Temperature dependent moiré trapping of interlayer excitons in MoSe2-WSe2 heterostructuresMoSe 2-WSe2 异质结构中层间激子的温度依赖性莫尔捕获 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Boosting proximity spin–orbit coupling in graphene/WSe2 heterostructures via hydrostatic pressure通过静水压力增强石墨烯/WSe2 异质结构中的邻近自旋-轨道耦合 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

WSe2/SnSe2 vdW heterojunction Tunnel FET with subthermionic characteristic and MOSFET co-integrated on same WSe2 flakeWSe2/SnSe2 vdW 异质结隧道式 FET，具有亚热离子特性和 MOSFET 共集成在同一 WSe2 片上 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Two-dimensional iodine-monofluoride epitaxy on WSe2WSe2 上的二维碘-一氟化物外延 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Identifying defect-related quantum emitters in monolayer WSe2识别单层 WSe2 中与缺陷相关的量子发射器 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Electric-double-layer p–i–n junctions in WSe2WSe2 中的双电层 p-i-n 结 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

PN/PAs-WSe2 van der Waals heterostructures for solar cell and photodetector用于太阳能电池和光电探测器的 PN/PAs-WSe2 范德华异质结构 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Monolayer WSe2 induced giant enhancement in the spin Hall efficiency of Tantalum单层 WSe2 诱导钽自旋霍尔效率的巨型增强 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Growth and Thermo-driven Crystalline Phase Transition of Metastable Monolayer 1T′-WSe2 Thin Film亚稳态单层 1T′-WSe2 薄膜的生长和热驱动晶体相变 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Dark trions and biexcitons in WS2 and WSe2 made bright by e-e scatteringWS2 和 WSe2 中的暗三子和二激子因 e-e 散射而变亮 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Scalable Epitaxial Growth of WSe2 Thin Films on SiO2/Si via a Self-Assembled PtSe2 Buffer Layer通过自组装 PtSe2 缓冲层在 SiO2/Si 上实现 WSe2 薄膜的可扩展外延生长 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Covalent-bonding-induced strong phonon scattering in the atomically thin WSe2 layer共价键诱导的原子薄 WSe2 层中的强声子散射 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Pressure-induced iso-structural phase transition and metallization in WSe2WSe2 中的压力诱导等结构相变和金属化 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Stripe phases in WSe2/WS2 moiré superlatticesWSe2/WS2 莫尔超晶格中的条纹相 材料科学TOPEI检索SCI升级版 材料科学1区SCI基础版 工程技术1区IF 37.2SWJTU A++

First-Principles Determination of Ultralow Thermal Conductivity of monolayer WSe2单层 WSe2 超低热导率的第一性原理测定 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Probing the origin of excitonic states in monolayer WSe2探索单层 WSe2 中激子态的起源 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Stacking orders induced direct band gap in bilayer MoSe2-WSe2 lateral heterostructures堆叠顺序在双层 MoSe 2-WSe2 横向异质结构中诱导直接带隙 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Polarity control in WSe2 double-gate transistorsWSe2 双栅极晶体管中的极性控制 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Valley depolarization in monolayer WSe2单层 WSe2 中的谷值去极化 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Erbium-doped fiber laser passively mode locked with few-layer WSe2/MoSe2 nanosheets掺铒光纤激光器用少量 WSe2/MoSe2 纳米片进行被动锁模 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Excellent Thermoelectric Properties in monolayer WSe2 Nanoribbons due to Ultralow Phonon Thermal Conductivity由于超低的声子热导率，在单层 WSe2 纳米带中具有出色的热电性能 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Correlated insulating states at fractional fillings of the WS2/WSe2 moiré latticeWS2/WSe2 莫尔晶格分数填充处的相关绝缘态 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版 物理与天体物理1区SCI基础版 物理1区IF 17.6

Proximity-induced chiral quantum light generation in strain-engineered WSe2/NiPS3 heterostructures 重试 错误原因 材料科学TOPEI检索SCI升级版 材料科学1区SCI基础版 工程技术1区IF 37.2SWJTU A++

Prolonged dephasing time of ensemble of moiré-trapped interlayer excitons in WSe2-MoSe2 heterobilayers 重试 错误原因 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Thiol-based defect healing of WSe2 and WS2 重试 错误原因 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Anomalous conductance quantization of a one-dimensional channel in monolayer WSe2 重试 错误原因 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Ultrafast valley-selective coherent optical manipulation with excitons in WSe2 and MoS2 monolayers 重试 错误原因 EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Signatures of moiré-trapped valley excitons in MoSe2/WSe2 heterobilayers 重试 错误原因 综合性期刊TOPSCI升级版 综合性期刊1区SCI基础版 综合性期刊1区IF 50.5SWJTU A++

Improvements in 2D p-type WSe2 transistors towards ultimate CMOS scaling2D p 型 WSe2 晶体管的改进，以实现最终的 CMOS 缩放 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Electrical characterization of multi-gated WSe2/MoS2 van der Waals heterojunctions SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Exciton-polarons in the presence of strongly correlated electronic states in a MoSe2/WSe2 moiré superlattice EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Exciton spectroscopy and unidirectional transport in MoSe2-WSe2 lateral heterostructures encapsulated in hexagonal boron nitride EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Reversal of anomalous Hall conductivity by perpendicular electric field in 2D WSe2/VSe2 heterostructure 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版 物理与天体物理1区SCI基础版 物理2区IF 5.4

Radiative pattern of intralayer and interlayer excitons in two-dimensional WS2/WSe2 heterostructure SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Confinement of long-lived interlayer excitons in WS2/WSe2 heterostructures 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版 物理与天体物理1区SCI基础版 物理2区IF 5.4

Super-Nernstian ion sensitive field-effect transistor exploiting charge screening in WSe2/MoS2 heterostructure EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Rydberg series of dark excitons and the conduction band spin-orbit splitting in monolayer WSe2 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版 物理与天体物理1区SCI基础版 物理2区IF 5.4

Out-of-plane trion emission in monolayer WSe2 revealed by whispering gallery modes of dielectric microresonators EI检索IF 7.5

First-principles based simulations of electronic transmission in ReS2/WSe2 and ReS2/MoSe2 type-II vdW heterointerfaces SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Controlled edge dependent stacking of WS2-WS2 Homo- and WS2-WSe2 Hetero-structures: A Computational Study SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Electric field induced giant valley polarization in two dimensional ferromagnetic WSe2/CrSnSe3 heterostructure EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Discrete interactions between a few interlayer excitons trapped at a MoSe2–WSe2 heterointerface EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Self-driven WSe2 photodetectors enabled with asymmetrical van der Waals contact interfaces EI检索SCI升级版 材料科学2区SCI基础版 工程技术1区IF 9.1

Studying local Berry curvature in 2H-WSe2 by circular dichroism photoemission utilizing crystal mirror plane SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Highly (001)-textured p-type WSe2 Thin Films as Efficient Large-Area Photocathodes for Solar Hydrogen Evolution SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Origin of ultrafast growth of monolayer WSe2 via chemical vapor deposition EI检索SCI升级版 材料科学1区SCI基础版 工程技术1区IF 9.4

Effects of energetic ion irradiation on WSe2/SiC heterostructures SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Tuning Coupling Behavior of Stacked Heterostructures Based on MoS2, WS2, and WSe2 SCI升级版 综合性期刊2区SCI基础版 综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Moiré trions in MoSe₂/WSe₂ heterobilayers
MoSe₂/WSe₂ 异质层中的莫尔三子材料科学TOPEI检索SCI升级版材料科学1区SCI基础版工程技术1区IF 38.1SWJTU A++

Temperature dependent moiré trapping of interlayer excitons in MoSe₂-WSe₂ heterostructures
MoSe 2-WSe₂ 异质结构中层间激子的温度依赖性莫尔捕获 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Boosting proximity spin–orbit coupling in graphene/WSe₂ heterostructures via hydrostatic pressure
通过静水压力增强石墨烯/WSe₂ 异质结构中的邻近自旋-轨道耦合 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Two-dimensional iodine-monofluoride epitaxy on WSe₂
WSe₂ 上的二维碘-一氟化物外延 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Identifying defect-related quantum emitters in monolayer WSe₂
识别单层 WSe₂ 中与缺陷相关的量子发射器 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Electric-double-layer p–i–n junctions in WSe₂
WSe₂ 中的双电层 p-i-n 结 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

PN/PAs-WSe₂ van der Waals heterostructures for solar cell and photodetector
用于太阳能电池和光电探测器的 PN/PAs-WSe₂ 范德华异质结构 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Monolayer WSe2 induced giant enhancement in the spin Hall efficiency of Tantalum
单层 WSe2 诱导钽自旋霍尔效率的巨型增强 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Growth and Thermo-driven Crystalline Phase Transition of Metastable Monolayer 1T′-WSe₂ Thin Film
亚稳态单层 1T′-WSe₂ 薄膜的生长和热驱动晶体相变 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Dark trions and biexcitons in WS₂ and WSe₂ made bright by e-e scattering
WS₂ 和 WSe₂ 中的暗三子和二激子因 e-e 散射而变亮 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Scalable Epitaxial Growth of WSe₂ Thin Films on SiO₂/Si via a Self-Assembled PtSe₂ Buffer Layer
通过自组装 PtSe₂ 缓冲层在 SiO₂/Si 上实现 WSe₂ 薄膜的可扩展外延生长 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Covalent-bonding-induced strong phonon scattering in the atomically thin WSe₂ layer
共价键诱导的原子薄 WSe₂ 层中的强声子散射 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Pressure-induced iso-structural phase transition and metallization in WSe₂
WSe₂ 中的压力诱导等结构相变和金属化 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Stripe phases in WSe₂/WS₂ moiré superlattices
WSe₂/WS₂ 莫尔超晶格中的条纹相材料科学TOPEI检索SCI升级版材料科学1区SCI基础版工程技术1区IF 37.2SWJTU A++

First-Principles Determination of Ultralow Thermal Conductivity of monolayer WSe₂
单层 WSe₂ 超低热导率的第一性原理测定 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Probing the origin of excitonic states in monolayer WSe₂
探索单层 WSe₂ 中激子态的起源 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Stacking orders induced direct band gap in bilayer MoSe₂-WSe₂ lateral heterostructures
堆叠顺序在双层 MoSe 2-WSe₂ 横向异质结构中诱导直接带隙 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Polarity control in WSe₂ double-gate transistors
WSe₂ 双栅极晶体管中的极性控制 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Valley depolarization in monolayer WSe2
单层 WSe2 中的谷值去极化 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Erbium-doped fiber laser passively mode locked with few-layer WSe₂/MoSe₂ nanosheets
掺铒光纤激光器用少量 WSe₂/MoSe₂ 纳米片进行被动锁模 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Excellent Thermoelectric Properties in monolayer WSe₂ Nanoribbons due to Ultralow Phonon Thermal Conductivity
由于超低的声子热导率，在单层 WSe₂ 纳米带中具有出色的热电性能 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Correlated insulating states at fractional fillings of the WS₂/WSe₂ moiré lattice
WS₂/WSe₂ 莫尔晶格分数填充处的相关绝缘态物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版物理与天体物理1区SCI基础版物理1区IF 17.6

Proximity-induced chiral quantum light generation in strain-engineered WSe₂/NiPS₃ heterostructures 重试错误原因材料科学TOPEI检索SCI升级版材料科学1区SCI基础版工程技术1区IF 37.2SWJTU A++

Prolonged dephasing time of ensemble of moiré-trapped interlayer excitons in WSe₂-MoSe₂ heterobilayers 重试错误原因 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Thiol-based defect healing of WSe₂ and WS₂ 重试错误原因 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Anomalous conductance quantization of a one-dimensional channel in monolayer WSe₂ 重试错误原因 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Ultrafast valley-selective coherent optical manipulation with excitons in WSe₂ and MoS₂ monolayers 重试错误原因 EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Signatures of moiré-trapped valley excitons in MoSe₂/WSe₂ heterobilayers 重试错误原因综合性期刊TOPSCI升级版综合性期刊1区SCI基础版综合性期刊1区IF 50.5SWJTU A++

Improvements in 2D p-type WSe₂ transistors towards ultimate CMOS scaling
2D p 型 WSe₂ 晶体管的改进，以实现最终的 CMOS 缩放 SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Electrical characterization of multi-gated WSe₂/MoS₂ van der Waals heterojunctions SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Exciton-polarons in the presence of strongly correlated electronic states in a MoSe₂/WSe₂ moiré superlattice EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Exciton spectroscopy and unidirectional transport in MoSe₂-WSe₂ lateral heterostructures encapsulated in hexagonal boron nitride EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Reversal of anomalous Hall conductivity by perpendicular electric field in 2D WSe₂/VSe₂ heterostructure 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版物理与天体物理1区SCI基础版物理2区IF 5.4

Radiative pattern of intralayer and interlayer excitons in two-dimensional WS₂/WSe₂ heterostructure SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Confinement of long-lived interlayer excitons in WS₂/WSe₂ heterostructures 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版物理与天体物理1区SCI基础版物理2区IF 5.4

Super-Nernstian ion sensitive field-effect transistor exploiting charge screening in WSe₂/MoS₂ heterostructure EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Rydberg series of dark excitons and the conduction band spin-orbit splitting in monolayer WSe₂ 物理与天体物理TOPEI检索SCI升级版物理与天体物理1区SCI基础版物理2区IF 5.4

Out-of-plane trion emission in monolayer WSe₂ revealed by whispering gallery modes of dielectric microresonators EI检索IF 7.5

First-principles based simulations of electronic transmission in ReS₂/WSe₂ and ReS₂/MoSe₂ type-II vdW heterointerfaces SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Controlled edge dependent stacking of WS₂-WS₂ Homo- and WS₂-WSe₂ Hetero-structures: A Computational Study SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Electric field induced giant valley polarization in two dimensional ferromagnetic WSe₂/CrSnSe₃ heterostructure EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Discrete interactions between a few interlayer excitons trapped at a MoSe₂–WSe₂ heterointerface EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Self-driven WSe₂ photodetectors enabled with asymmetrical van der Waals contact interfaces EI检索SCI升级版材料科学2区SCI基础版工程技术1区IF 9.1

Studying local Berry curvature in 2H-WSe₂ by circular dichroism photoemission utilizing crystal mirror plane SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Highly (001)-textured p-type WSe₂ Thin Films as Efficient Large-Area Photocathodes for Solar Hydrogen Evolution SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

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Effects of energetic ion irradiation on WSe₂/SiC heterostructures SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B

Tuning Coupling Behavior of Stacked Heterostructures Based on MoS₂, WS₂, and WSe₂ SCI升级版综合性期刊2区SCI基础版综合性期刊3区IF 3.8SWJTU A++SWUFE B